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IMD1AT108
- Modello di prodotti:
- IMD1AT108
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16507 Pieces
- Scheda dati:
- IMD1AT108.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | - |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 22k |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-74, SOT-457 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IMD1AT108 |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descrizione: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | - |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IMD1AT108
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RN4910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | Inchiesta |
 |
NSBA124XDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Inchiesta |
 |
UMA6NTR | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
 |
MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Inchiesta |
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