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NSM21156DW6T1G
- Modello di prodotti:
- NSM21156DW6T1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16933 Pieces
- Scheda dati:
- NSM21156DW6T1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V, 65V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k |
| Potenza - Max: | 230mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NSM21156DW6T1G |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Descrizione: | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NSM21156DW6T1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Inchiesta |
 |
IMD14T108 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Inchiesta |
 |
BCR119SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Inchiesta |
|
NSM21356DW6T1G | ON Semiconductor | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 | Inchiesta |
 |
PBLS2003S,115 | NXP USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO | Inchiesta |
 |
DMC561000R | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 | Inchiesta |
 |
NSBA143ZDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | Inchiesta |
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