NDF10N60ZH
NDF10N60ZH
Modello di prodotti:
NDF10N60ZH
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13634 Pieces
Scheda dati:
NDF10N60ZH.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):39W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:NDF10N60ZH-ND
NDF10N60ZHOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:28 Weeks
codice articolo del costruttore:NDF10N60ZH
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1645pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220FP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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