NDD03N40ZT4G
NDD03N40ZT4G
Modello di prodotti:
NDD03N40ZT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12715 Pieces
Scheda dati:
NDD03N40ZT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):37W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:5 Weeks
codice articolo del costruttore:NDD03N40ZT4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 400V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):400V
Descrizione:MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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