NDD03N40Z-1G
NDD03N40Z-1G
Modello di prodotti:
NDD03N40Z-1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13699 Pieces
Scheda dati:
NDD03N40Z-1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:IPAK (TO-251)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):37W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NDD03N40Z-1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 400V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Tensione drain-source (Vdss):400V
Descrizione:MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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