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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > MUN5213DW1T3G
MUN5213DW1T3G
MUN5213DW1T3G
Modello di prodotti:
MUN5213DW1T3G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18640 Pieces
Scheda dati:
MUN5213DW1T3G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):47k
Potenza - Max:250mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:MUN5213DW1T3G
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrizione:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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