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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > MUN5212T1G
MUN5212T1G
MUN5212T1G
Modello di prodotti:
MUN5212T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15387 Pieces
Scheda dati:
MUN5212T1G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-3 (SOT323)
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):2.2k
Resistenza - Base (R1) (ohm):22k
Potenza - Max:202mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-70, SOT-323
Altri nomi:MUN5212T1G-ND
MUN5212T1GOSTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:MUN5212T1G
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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