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MTP10N10ELG
- Modello di prodotti:
- MTP10N10ELG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12625 Pieces
- Scheda dati:
- MTP10N10ELG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MTP10N10ELG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MTP10N10ELG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 220 mOhm @ 5A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.75W (Ta), 40W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | MTP10N10ELGOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MTP10N10ELG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1040pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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