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MTD6N20ET4G
- Modello di prodotti:
- MTD6N20ET4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14120 Pieces
- Scheda dati:
- MTD6N20ET4G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MTD6N20ET4G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MTD6N20ET4G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 700 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | MTD6N20ET4GOS MTD6N20ET4GOS-ND MTD6N20ET4GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MTD6N20ET4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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