IRFH5302TR2PBF
IRFH5302TR2PBF
Modello di prodotti:
IRFH5302TR2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18452 Pieces
Scheda dati:
IRFH5302TR2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6) Single Die
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.1 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 100W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRFH5302TR2PBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFH5302TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:76nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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