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IRFH5302DTRPBF
- Modello di prodotti:
- IRFH5302DTRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16754 Pieces
- Scheda dati:
- IRFH5302DTRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFH5302DTRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFH5302DTRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (5x6) Single Die |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | SP001570962 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFH5302DTRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3635pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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