Acquistare MMFT2N02ELT1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 800mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | MMFT2N02ELT1OSDKR |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | MMFT2N02ELT1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 1.6A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |