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IXTY01N100
- Modello di prodotti:
- IXTY01N100
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19829 Pieces
- Scheda dati:
- IXTY01N100.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252AA |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 25W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 490458 IXTY01N100CT IXTY01N100CT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTY01N100 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 54pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXTY01N100
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | Inchiesta |
|
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | Inchiesta |
 |
PSMN005-30K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1 | Inchiesta |
|
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | Inchiesta |
|
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | Inchiesta |
 |
STD95NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | Inchiesta |
|
IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | Inchiesta |
 |
SCT2080KEC | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 | Inchiesta |
 |
IPD80N04S306BATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | Inchiesta |
|
IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | Inchiesta |
 |
TJ15S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3 | Inchiesta |
|
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | Inchiesta |
 |
AUIRFS8405TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Inchiesta |
 |
FDMS7694 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V POWER56 | Inchiesta |
|
IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | Inchiesta |
 |
IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | Inchiesta |
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