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IXZ308N120
- Modello di prodotti:
- IXZ308N120
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE375
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13702 Pieces
- Scheda dati:
- IXZ308N120.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | - |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 1200V |
| Tipo transistor: | N-Channel |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | Z-MOS™ |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXZ308N120 |
| Guadagno: | - |
| Frequenza: | - |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet N-Channel |
| Descrizione: | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 |
| Valutazione attuale: | 1mA |
| Corrente - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXZ308N120
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF1535NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP | Inchiesta |
 |
MRF1513NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | Inchiesta |
 |
BLF6G27LS-40P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Inchiesta |
 |
MRF8S26060HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.69GHZ | Inchiesta |
|
A2T09VD300NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
VRF152MP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174 | Inchiesta |
|
MRF21010LSR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S | Inchiesta |
 |
BLF7G20L-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A | Inchiesta |
|
A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
BLF6G20-230PRN,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | Inchiesta |
 |
375-102N12A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-245AVJ | NXP USA Inc. | TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1251 | Inchiesta |
 |
BLF6G27L-50BN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A | Inchiesta |
 |
PTFA211801F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 | Inchiesta |
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