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A2T09VD300NR1
- Modello di prodotti:
- A2T09VD300NR1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- IC TRANS RF LDMOS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16638 Pieces
- Scheda dati:
- A2T09VD300NR1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 48V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 105V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-270WB-6A |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 79W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-270-6 Variant, Flat Leads |
| Altri nomi: | 935316219528 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | A2T09VD300NR1 |
| Guadagno: | 21.5dB |
| Frequenza: | 920MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 1.2A 920MHz 21.5dB 79W TO-270WB-6A |
| Descrizione: | IC TRANS RF LDMOS |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per A2T09VD300NR1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
CGH60015D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Inchiesta |
 |
MRF8S9200NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 940MHZ OM780-2 | Inchiesta |
 |
MRF7S21080HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Inchiesta |
|
A2T09VD250NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
PTFA070601EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 60W H36265-2 | Inchiesta |
 |
BLF1043,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Inchiesta |
|
MRF6S19120HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
MRF1513NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | Inchiesta |
 |
PTFA211801F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 | Inchiesta |
 |
ATF-36077-STR | Broadcom Limited | FET RF 3V 12GHZ 77-SMD | Inchiesta |
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