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A2T09VD250NR1
- Modello di prodotti:
- A2T09VD250NR1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- IC TRANS RF LDMOS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13541 Pieces
- Scheda dati:
- A2T09VD250NR1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 48V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 105V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-270WB-6A |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 65W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-270-6 Variant, Flat Leads |
| Altri nomi: | 935320819528 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | A2T09VD250NR1 |
| Guadagno: | 22.5dB |
| Frequenza: | 920MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 1A 920MHz 22.5dB 65W TO-270WB-6A |
| Descrizione: | IC TRANS RF LDMOS |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per A2T09VD250NR1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLL8H0514LS-130U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B | Inchiesta |
 |
PTFB183404FV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
A2T09VD300NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MWT-A973 | Microwave Technology Inc. | FET RF 5V 18GHZ PKG 73 | Inchiesta |
 |
BLF6G22-180RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | Inchiesta |
 |
CGHV27200F | Cree/Wolfspeed | FET RF 50V 2.7GHZ 440162 | Inchiesta |
 |
BLF640U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Inchiesta |
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