IXTY2N80P
Modello di prodotti:
IXTY2N80P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12366 Pieces
Scheda dati:
IXTY2N80P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs:6 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):70W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTY2N80P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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