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IXTN32P60P
- Modello di prodotti:
- IXTN32P60P
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17778 Pieces
- Scheda dati:
- IXTN32P60P.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | PolarP™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 350 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 890W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTN32P60P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11100pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 196nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 600V 32A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 32A |
| Email: | [email protected] |
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