IXTK80N25
IXTK80N25
Modello di prodotti:
IXTK80N25
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18348 Pieces
Scheda dati:
IXTK80N25.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-264 (IXTK)
Serie:MegaMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):540W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTK80N25
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 80A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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