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RHU002N06T106
- Modello di prodotti:
- RHU002N06T106
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13528 Pieces
- Scheda dati:
- RHU002N06T106.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi: | RHU002N06T106-ND RHU002N06T106TR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RHU002N06T106 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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