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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA4N80P
IXTA4N80P
IXTA4N80P
Modello di prodotti:
IXTA4N80P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14327 Pieces
Scheda dati:
IXTA4N80P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXTA)
Serie:PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA4N80P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

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