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IXTA4N150HV
IXTA4N150HV
Modello di prodotti:
IXTA4N150HV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14143 Pieces
Scheda dati:
IXTA4N150HV.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):280W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA4N150HV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1576pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:44.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1500V (1.5kV) 4A (Tc) 280W (Tc) Surface Mount TO-263
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1500V (1.5kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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