IXTA3N120
IXTA3N120
Modello di prodotti:
IXTA3N120
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14884 Pieces
Scheda dati:
IXTA3N120.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXTA)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:Q2023873
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA3N120
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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