Acquistare IXTA3N100P con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263 (IXTA) |
| Serie: | PolarVHV™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTA3N100P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |