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IXFR38N80Q2
- Modello di prodotti:
- IXFR38N80Q2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15972 Pieces
- Scheda dati:
- IXFR38N80Q2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUS247™ |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 240 mOhm @ 19A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 416W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | ISOPLUS247™ |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXFR38N80Q2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 8340pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFR38N80Q2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SUP18N15-95-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 | Inchiesta |
 |
IXFR36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | Inchiesta |
 |
IRF6609TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | Inchiesta |
|
IXFR32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | Inchiesta |
 |
BSC200P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 | Inchiesta |
 |
BUK9614-60E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK | Inchiesta |
|
IXFR30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 | Inchiesta |
 |
FQD2N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | Inchiesta |
|
IXFR36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 | Inchiesta |
 |
MTM761100LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 | Inchiesta |
|
IXFR32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | Inchiesta |
 |
IXFN66N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B | Inchiesta |
 |
IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | Inchiesta |
 |
FDMB506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET | Inchiesta |
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