FDMB506P
Modello di prodotti:
FDMB506P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19640 Pieces
Scheda dati:
FDMB506P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDMB506P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2960pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 6.8A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

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