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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH7N90Q
IXFH7N90Q
IXFH7N90Q
Modello di prodotti:
IXFH7N90Q
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19008 Pieces
Scheda dati:
IXFH7N90Q.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):180W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFH7N90Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 7A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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