C2M1000170J-TR
C2M1000170J-TR
Modello di prodotti:
C2M1000170J-TR
fabbricante:
Cree
Descrizione:
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17250 Pieces
Scheda dati:
C2M1000170J-TR.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per C2M1000170J-TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per C2M1000170J-TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare C2M1000170J-TR con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.1V @ 500µA (Typ)
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK (7-Lead)
Serie:C2M™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2A, 20V
Dissipazione di potenza (max):78W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-7 (Straight Leads)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:C2M1000170J-TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1700V (1.7kV) 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Tensione drain-source (Vdss):1700V (1.7kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti