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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH4N100Q
IXFH4N100Q
IXFH4N100Q
Modello di prodotti:
IXFH4N100Q
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12635 Pieces
Scheda dati:
IXFH4N100Q.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFH4N100Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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