IXFB30N120P
IXFB30N120P
Modello di prodotti:
IXFB30N120P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12466 Pieces
Scheda dati:
IXFB30N120P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:6.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS264™
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs:350 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):1250W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFB30N120P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:22500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:310nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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