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IXFA18N60X
IXFA18N60X
Modello di prodotti:
IXFA18N60X
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15389 Pieces
Scheda dati:
IXFA18N60X.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AA
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:230 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):320W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFA18N60X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1440pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 18A (Tc) 320W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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