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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFA10N60P
IXFA10N60P
IXFA10N60P
Modello di prodotti:
IXFA10N60P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14751 Pieces
Scheda dati:
IXFA10N60P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs:740 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFA10N60P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1610pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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