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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRLI620G
IRLI620G
IRLI620G
Modello di prodotti:
IRLI620G
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
14128 Pieces
Scheda dati:
IRLI620G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:800 mOhm @ 2.4A, 5V
Dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi:*IRLI620G
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRLI620G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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