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IRLI610ATU
- Modello di prodotti:
- IRLI610ATU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12011 Pieces
- Scheda dati:
- IRLI610ATU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLI610ATU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLI610ATU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLI610ATU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 3.3A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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