APT29F80J
APT29F80J
Modello di prodotti:
APT29F80J
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15109 Pieces
Scheda dati:
1.APT29F80J.pdf2.APT29F80J.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs:210 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max):543W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT29F80J
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9326pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:303nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 31A 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A
Email:[email protected]

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