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IRLHM630TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRLHM630TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17768 Pieces
- Scheda dati:
- IRLHM630TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLHM630TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLHM630TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (3x3) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | IRLHM630TRPBF-ND IRLHM630TRPBFTR SP001568974 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRLHM630TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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