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IRLHM620TR2PBF
- Modello di prodotti:
- IRLHM620TR2PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14683 Pieces
- Scheda dati:
- IRLHM620TR2PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLHM620TR2PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLHM620TR2PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (3x3) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | IRLHM620TR2PBFDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLHM620TR2PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3620pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 78nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 26A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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