Acquistare IRLBA1304PPBF con BYCHPS
Acquista con garanzia
IRLBA1304PPBF
- Modello di prodotti:
- IRLBA1304PPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19384 Pieces
- Scheda dati:
- IRLBA1304PPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLBA1304PPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLBA1304PPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SUPER-220™ (TO-273AA) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4 mOhm @ 110A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | Super-220™-3 (Straight Leads) |
| Altri nomi: | *IRLBA1304PPBF |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLBA1304PPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7660pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 185A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRLBA1304PPBF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLBA1304P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 | Inchiesta |
|
IRLBA1304 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 | Inchiesta |
 |
STD3NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK | Inchiesta |
 |
IRFR5505CPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | Inchiesta |
 |
NVTFS4C06NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 71A U8FL | Inchiesta |
 |
AO4485_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | Inchiesta |
|
FDS6064N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
IXTQ36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P | Inchiesta |
 |
SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | Inchiesta |
 |
STB13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK | Inchiesta |
|
IRLBA3803P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 | Inchiesta |
 |
CSD18534Q5AT | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog