IRL530NSTRR
IRL530NSTRR
Modello di prodotti:
IRL530NSTRR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13741 Pieces
Scheda dati:
IRL530NSTRR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 79W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRL530NSTRR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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