IRFS59N10DPBF
IRFS59N10DPBF
Modello di prodotti:
IRFS59N10DPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18169 Pieces
Scheda dati:
IRFS59N10DPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 35.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 200W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:*IRFS59N10DPBF
SP001571716
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFS59N10DPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:114nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:59A (Tc)
Email:[email protected]

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