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FCP190N60_GF102
- Modello di prodotti:
- FCP190N60_GF102
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V TO-220-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15883 Pieces
- Scheda dati:
- FCP190N60_GF102.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Serie: | SuperFET® II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 199 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FCP190N60_GF102 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2950pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FCP190N60_GF102
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Inchiesta |
 |
FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | Inchiesta |
|
FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Inchiesta |
 |
ZVN4206GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | Inchiesta |
 |
IXTH200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | Inchiesta |
 |
BS170_D75Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 | Inchiesta |
 |
NTMFS4821NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | Inchiesta |
 |
SI5481DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | Inchiesta |
 |
BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | Inchiesta |
 |
IRLIB9343 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP | Inchiesta |
 |
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK | Inchiesta |
 |
STP36NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 | Inchiesta |
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