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IRFIBF30G
- Modello di prodotti:
- IRFIBF30G
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 17768 Pieces
- Scheda dati:
- IRFIBF30G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFIBF30G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFIBF30G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 35W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Altri nomi: | *IRFIBF30G |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFIBF30G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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