Acquistare IRFH5220TRPBF con BYCHPS
Acquista con garanzia
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (5x6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | SP001570846 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFH5220TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1380pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Ta), 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |