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IRFH5210TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRFH5210TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14801 Pieces
- Scheda dati:
- IRFH5210TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFH5210TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFH5210TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (5x6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 14.9 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | IRFH5210TRPBF-ND IRFH5210TRPBFTR SP001556226 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFH5210TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2570pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 10A (Ta), 55A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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