IRFH4257DTRPBF
IRFH4257DTRPBF
Modello di prodotti:
IRFH4257DTRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17774 Pieces
Scheda dati:
IRFH4257DTRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.1V @ 35µA
Contenitore dispositivo fornitore:Dual PQFN (5x4)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 mOhm @ 25A, 10V
Potenza - Max:25W, 28W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRFH4257DTRPBFCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFH4257DTRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1321pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 25W, 28W Surface Mount Dual PQFN (5x4)
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A
Email:[email protected]

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