IRFH4210DTRPBF
IRFH4210DTRPBF
Modello di prodotti:
IRFH4210DTRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13484 Pieces
Scheda dati:
IRFH4210DTRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.1V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.1 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.5W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IRFH4210DTRPBFTR
SP001575718
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFH4210DTRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4812pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:44A (Ta)
Email:[email protected]

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