IRFB17N60K
IRFB17N60K
Modello di prodotti:
IRFB17N60K
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19831 Pieces
Scheda dati:
1.IRFB17N60K.pdf2.IRFB17N60K.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):340W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRFB17N60K
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFB17N60K
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:99nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 17A (Tc) 340W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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