IRFB17N50L
IRFB17N50L
Modello di prodotti:
IRFB17N50L
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13764 Pieces
Scheda dati:
1.IRFB17N50L.pdf2.IRFB17N50L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:320 mOhm @ 9.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):220W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRFB17N50L
Q1082842
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFB17N50L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2760pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 16A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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