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IRF9910PBF
- Modello di prodotti:
- IRF9910PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16364 Pieces
- Scheda dati:
- IRF9910PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF9910PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF9910PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.55V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001575352 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF9910PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A, 12A |
| Email: | [email protected] |
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