IRF9953TR
IRF9953TR
Modello di prodotti:
IRF9953TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16620 Pieces
Scheda dati:
IRF9953TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:250 mOhm @ 1A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF9953TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.3A
Email:[email protected]

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